| Guia docent Escola Tècnica Superior d'Enginyeria |
català |
| Enginyeria Electrònica (2010) |
 Assignatures |
| LABORATORI D'INVESTIGACIÓ |
| Continguts |
| DADES IDENTIFICATIVES | 2012_13 |
| Assignatura | LABORATORI D'INVESTIGACIÓ | Codi | 17605222 | |||||
| Ensenyament |
|
Cicle | 2n | |||||
| Descriptors | Crèd. | Tipus | Curs | Període | ||||
| 10 | Optativa | Únic anual |
||||||
| Competències | Objectius d'aprenentatge | Continguts |
| Planificació | Metodologies | Atenció personalitzada |
| Avaluació | Fonts d'informació | Recomanacions |
| Tema | Subtema |
| 1.- Introducció a la Recerca |
-Planificació -Eines Bibliogràfiques -Laboriositat sistemàtica |
| 2.-Síntesi i obtenció de materials |
-Creixement Cristal•lí -Creixement epitaxial -Creixement de nanos -Preparació de materials |
| 3.- Caracterització de Materials |
-Difracció de R-X -Terminologia Bàsica de la Cristal•lografia -Teoria Reticular, Sistemes Cristal•lins, Grups puntuals, Grups espacials, Extincions Sistemàtiques, Factors d’Estructura. -Conceptes bàsics de la Resolució d’Estructures Cristal•lines. -Difracció de pols Cristal•lina. -Difracció de materials estructurats. |
| 4.- Microscopia electrònica |
-SEM i ESEM -TEM |
| 5.- Tècniques de Sala Blanca |
-Sputtering -Fotolitografia |
