| Ingeniería y Tecnología de los Sistemas Electrónicos (2014) |
 Asignaturas |
| DISPOSITIVOS Y TECNOLOGÍAS MICRO Y NANOELECTRÓNICOS |
| Contenidos |
| DATOS IDENTIFICATIVOS | 2016_17 |
| Asignatura | DISPOSITIVOS Y TECNOLOGÍAS MICRO Y NANOELECTRÓNICOS | Código | 17675102 | |||||
| Titulación |
|
Ciclo | 2º | |||||
| Descriptores | Cr.totales | Tipo | Curso | Periodo | ||||
| 4 | Obligatoria | Primer | 1Q |
|||||
| Competencias | Resultados de aprendizaje | Contenidos |
| Planificación | Metodologías | Atención personalizada |
| Evaluación | Fuentes de información | Recomendaciones |
| tema | Subtema |
| Fundamentos de semiconductores. Substratos microelectrónicos |
Concepto de semiconductor. Caso del Silicio Diagrames de bandas i estructura cristalina Portadores de Carga (generación/recombinación) Semiconductores intrínsecos i extrínsecos Corrientes en un semiconductor. Eq de continuidad Obleas |
| Procesos Tecnológicos básicos en microelectrónica | Procesos Energéticos (Oxidación y dopado) Procesos de deposición (PVD, CVD, Epitaxia) Fotolitografía |
| La unió PN | Distribución de cargas. Camp eléctrico y potencial de unión Polarización Ecuación de un diodo. Diodo Schottcky |
| Transistor bipolar de uniones | Funcionamiento básico. Modelo d'Eber-Moll Efectos de 2nd orden (Camp eléctrico inducido en la base, Efecto Early, Ruptura de la unió) Topologías |
| Transistor MOSFET | Funcionament bàsic Diagrama de bandes Tensió Llindar Equacions de funcionament Topologia |
| MEM's | Concepto Ejemplos Tecnologías asociadas |
