Guia docent 2016_17 Escola Tècnica Superior d'Enginyeria

Continguts

Tema	Subtema
1. Introducció	1.1 Electrostàtica i transport de càrrega en els semiconductors 1.2 Simulació TCAD. Introducció a l'Atles 1.3 Eines d'automatització per a dispositius electrònics. Introducció a la codificació del model de dispositiu en Verilog-A2.
2.Estructures MOSFET en escala nanomètrica	.1. Efectes de canal curt en MOSFETs 2.2. MOSFETs a escala nanomètrica en bulk 2.3 SOI MOSFETs 2.4 FinFETs i MOSFETs multi-porta
3. Dispositius semiconductors avançats de potència	3.1 Els transistors bipolars de porta aïllada (IGBT) 3.2. MOSFET de potència
4. Dispositius amb semiconductors compostos	4.1. Transistors bipolars d'heterounió (HBT) 4.2. Estructures avançades MESFET i HEMT. Dispositius de GaAs i GaN.
5. Els transistors de pel lícula prima (TFT)	5.1 TFT de silici amorf 5.2. Silici policristal lí TFT 5.3. TFT orgànics 5.4. TFT Òxid
6. Dispositius post-CMOS	6.1. FET Túnel 6.2. Transistor d'un sol electró 6.3. Els nanotubs de carboni i els transistors de grafè