Guia docent Escola Tècnica Superior d`Enginyeria |
català |
Enginyeria Electrònica (2006) |
Assignatures |
MATERIALS ELECTRÒNICS |
Continguts |
DADES IDENTIFICATIVES | 2007_08 |
Assignatura | MATERIALS ELECTRÒNICS | Codi | 175101105 | |||||
Ensenyament |
|
Cicle | 2on | |||||
Descriptors | Crèd. | Tipus | Curs | Període | ||||
6 | Obligatòria | Primer | Únic anual |
Competències | Objectius d'aprenentatge | Continguts |
Planificació | Metodologies | Atenció personalitzada |
Avaluació | Fonts d'informació | Recomanacions |
Tema | Subtema |
Caracterització elèctrica | Mètode de les 4 puntes. 'Spreading resistance' (2 puntes) Mesures de capacitat en materials electrònics Efecte Hall Magnetoresistència DLTS |
Caracterització per difracció | Introducció a la cristal·lografia Bases matemàtiques i físiques de la difracció, per raigs X. Tècniques de difracció de monocristall per raigs-X Tècniques de difracció de policristall per raigs-X. Textures. Tècniques d'incidència rasant. Introducció a la difracció d'electrons. Reflectometria. |
Caracterització microscòpica | Paràmetres generals d'una microscòpia. Microscòpia òptica. Microscòpia electrònica. Microscòpia electrònica de rastreig (SEM): imatges, espectres (EDS, WDS, Auger). Microscòpia electrònica de transmissió (TEM): mode imatge, mode de difracció d'electrons, SAD, anàlisis elementals, alta resolució (HREM). STEM. EELS. Microscòpia nanomètrica: microscopi d'efecte tunel per nano-rastreig (STM), microscopi de força atòmica per nano-rastreig (AFM). |
Caracterització per fotoelectrons. | Problemes fonamentals de les espectroscòpies quantitatives. Efecte matriu. Necessitat de patrons. Espectròmetre de fotoelectrons per raigs-X. (ESCA o XPS). Espectroscòpia d'electrons Auger. |
Caracterització per anàlisi d'ions. | Espectroscòpia de masses d'ions secundaris (SIMS). Millores respecte els SIMS disponibles. |
Caracterització fotònica. | El·lipsometria i polarimetria. Fluorescència de raigs-X. Espectroscòpia d'infrarroig. FTIR. Espectroscòpia Raman. |