| Guia docent Escola Tècnica Superior d`Enginyeria |
català |
| Enginyeria Electrònica (2006) |
 Assignatures |
| MODE D`OPERACIÓ RF EN DISPOSITIUS I CIRCUITS INTEGRATS |
| Continguts |
| DADES IDENTIFICATIVES | 2007_08 |
| Assignatura | MODE D`OPERACIÓ RF EN DISPOSITIUS I CIRCUITS INTEGRATS | Codi | 175101209 | |||||
| Ensenyament |
|
Cicle | 2on | |||||
| Descriptors | Crèd. | Tipus | Curs | Període | ||||
| 4 | Optativa | Únic anual |
||||||
| Competències | Objectius d'aprenentatge | Continguts |
| Planificació | Metodologies | Atenció personalitzada |
| Avaluació | Fonts d'informació | Recomanacions |
| Tema | Subtema |
| Introduction | |
| RF and microwave operation | Definition of the RF and microwave operation modes Main key parameters Modulation and detection |
| Semiconductor devices in the high frequency operation mode | pn diodes and varactors pin diodes Tunnel diodes Schottky diodes Gunn diodes IMPATT diodes Heterojunction Bipolar Transistors Compound semiconductor transistors: MESFETs and HEMTs. MOS transistors SOI MOS transistors High frequency noise in semiconductor devices |
| Design of RF and microwave circuits | Reflexion amplifiers Oscillators Parametric amplifiers Mixers Power amplifiers |
