2007_08
Guia docent 
Escola Tècnica Superior d`Enginyeria
A A A 
català 
Enginyeria Electrònica (2006)
 Assignatures
  APLICACIÓ DELS MOSFET I DELS IGBT EN ELS SISTEMES ELECTRÒNICS DE POTÈNCIA
   Continguts
Tema Subtema
1. Principios básicos: Modos de conmutación de los interruptores semiconductores de potencia en los distintos tipos de convertidores. Características V-I.
2. Estado del arte de los interruptores semiconductores de potencia. 2.1 Integración y encapsulado. Efectos de los elementos pasivos parásitos. Mejora de las pérdidas de conmutación ZVS, ZCS. Cálculo de las pérdidas y diseño del sistema de disipación de calor.
3. “Drivers” y circuitos de protección. 3.1 Diseño de “drivers” para el funcionamiento óptimo de los interruptores semiconductores de potencia, en las distintas topologías de convertidores. Estudios de los modos de fallo. Diseño de las protecciones en los dispositivos. Técnicas de sensado de tensión y corriente en convertidores: lazos de control, limitadores y protecciones.
4. Asociación de interruptores. 4.1 Puentes rectificadores. Puentes inversores. Convertidores DC/DC. Convertidores matriciales con asociación bidireccional de interruptores.