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Tipo A
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Código |
Competencias Específicas | | | A5 |
Conèixer les tecnologies pròpies de la fabricació de microsistemes.
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Tipo B
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Código |
Competencias Transversales | | | B2 |
Resolver problemas complejos de forma efectiva. |
| | B4 |
Trabajar de forma autónoma con responsabilidad e iniciativa |
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Tipo C
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Código |
Competencias Nucleares | | | C1 |
Dominar en un nivel intermedio una lengua extranjera, preferentemente el inglés. |
| | C2 |
Utilizar de manera avanzada las tecnologías de la información y la comunicación. |
| | C4 |
Expresarse correctamente de manera oral y escrita en una de las dos lenguas oficiales de la URV. |
| Resultados de aprendizaje |
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Tipo A
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Código |
Resultados de aprendizaje |
| | A5 |
Descriu el concepte de sistemes micro-electro-mecànics (MEMS).
Compara i valora els processos tecnològics utilitzats en la fabricació de circuits integrats i MEMS.
Descriu algunes implementacions físiques de dispositius bàsics (unió PN, BJT, MOS) i entén el seu funcionament.
Argumenta la influència de la implementació física en el comportament del dispositiu.
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Tipo B
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Código |
Resultados de aprendizaje |
| | B2 |
Encuentra la solución adecuada.
Elabora una estratégia realista para resolver el problema.
| | | B4 |
Decide cómo gestiona y organiza el trabajo y el tiempo.
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Tipo C
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Código |
Resultados de aprendizaje |
| | C1 |
Extrae el sentido general de los textos que contienen información no rutinaria dentro de un ámbito conocido.
| | | C2 |
Utiliza programario para la comunicación off-line: editores de textos, hojas de cálculo y presentaciones digitales.
| | | C4 |
Produce un texto oral adecuado a la situación comunicativa.
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| tema |
Subtema |
Fundamentos de semiconductores.
Substratos microelectrónicos
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Concepto de semiconductor. Caso del Silicio
Diagrames de bandas i estructura cristalina
Portadores de Carga (generación/recombinación)
Semiconductores intrínsecos i extrínsecos
Corrientes en un semiconductor. Eq de continuidad
Obleas
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| Procesos Tecnológicos básicos en microelectrónica |
Procesos Energéticos (Oxidación y dopado)
Procesos de deposición (PVD, CVD, Epitaxia)
Fotolitografía
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| La unió PN |
Distribución de cargas. Camp eléctrico y potencial de unión
Polarización
Ecuación de un diodo.
Diodo Schottcky
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| Transistor bipolar de uniones |
Funcionamiento básico. Modelo d'Eber-Moll
Efectos de 2nd orden (Camp eléctrico inducido en la base, Efecto Early, Ruptura de la unió)
Topologías
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| Transistor MOSFET |
Funcionament bàsic
Diagrama de bandes
Tensió Llindar
Equacions de funcionament
Topologia
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| MEM's |
Concepto
Ejemplos
Tecnologías asociadas
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| Metodologías :: Pruebas |
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Competencias |
(*) Horas en clase
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Horas fuera de clase
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(**) Horas totales |
| Actividades introductorias |
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1 |
0 |
1 |
| Presentaciones/exposiciones |
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2 |
0 |
2 |
| Sesión magistral |
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26 |
45 |
71 |
| Trabajos |
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8 |
15 |
23 |
| Atención personalizada |
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1 |
0 |
1 |
| |
| Pruebas objetivas de preguntas cortas |
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2 |
0 |
2 |
| |
(*) En el caso de docencia no presencial, serán las horas de trabajo con soporte virtual del profesor.
(**) Los datos que aparecen en la tabla de planificación son de carácter orientativo, considerando la heterogeneidad de los alumnos |
Metodologías
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descripción |
| Actividades introductorias |
Se repasarán las metodologías a utilizar en la asignatura, los contenidos, los objetivos de aprendizaje, los métodos de evaluación y la bibliografía de referencia. |
| Presentaciones/exposiciones |
Los estudiantes deberán presentar individualmente los resultados de los trabajos que realizaran durante el curso ante sus compañeros. |
| Sesión magistral |
Se expondrán los contenidos teóricos de la asignatura, así como ejemplos representativos. |
| Trabajos |
Se propondrá a cada estudiante o a grupos de 2 estudiantes que definan y simulen los procesos para conseguir determinados dispositivos, simulando posteriormente el funcionamiento de dicho dispositivo |
| Atención personalizada |
Los alumnos podrán resolver las dudas que aparezcan, tanto en el seguimiento de las clases magistrales como en la realización de los trabajos propuestos, presentándose dentro del horario de consultas, en despacho de los profesores que impartan la asignatura. |
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descripción |
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Los alumnos podrán resolver las dudas que aparezcan, tanto en el seguimiento de las clases magistrales como en la resolución de problemas o estudios previos, presentándose dentro del horario de consultas, en despacho de los profesores que impartan la asignatura. |
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Metodologías |
Competencias
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descripción |
Peso |
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| Presentaciones/exposiciones |
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Los estudiantes realizaran una presentación oral de los trabajos realizados durante el curso ante sus compañeros. Se evaluará el orden, la claridad, la corrección y las capacidades de comunicación de los resultados obtenidos. |
20 % |
| Trabajos |
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Los estudiantes deberán elaborar memorias escritas sobre los trabajos que realizarán durante el curso. Las memorias deberán contener una introducción al trabajo con los fundamentos teóricos necesarios, una descripción de los objetivos del trabajo, un informe de los resultados obtenidos y unas conclusiones. Se evaluará el orden, la claridad, la corrección y la capacidad de producir un texto escrito adecuado a las necesidades comunicativas. |
35 % |
| Pruebas objetivas de preguntas cortas |
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Se realizará un examen consistente en la resolución de cuestiones cortas que impliquen la demostración de las competencias adquiridas por el estudiante, relacionadas con la asignatura. |
45 % |
| Otros |
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Otros comentarios y segunda convocatoria |
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OBSERVACIONES: Durante las pruebas tipo test, los alumnos no podrán utilizar ningún dispositivo de comunicación ni con capacidad de transmisión de datos. En caso de no superar la evaluación continua, los alumnos dispondrán de una segunda convocatoria, que consistirá en un examen de preguntas cortas |
| Básica |
Stephen A. Campbell, Fabrication Engineering at the Micro and Nanoscale, 3a Edició, Oxford University Press, 2008
K.F. Brennan, Introduction to semiconductor devices. For computing and telecommunications applications, , Cambridge University Press, 2005
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| Complementaria |
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| Asignaturas que continúan el temario |
| DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES AVANZADOS/17675207 | | DISPOSITIVOS OPTOELECTRÓNICOS Y DE RADIOFRECUENCIA/17675209 |
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| Asignaturas que se recomienda cursar simultáneamente |
| MICRO Y NANO SISTEMAS SENSORES/17675210 |
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(*)La Guía docente es el documento donde se visualiza la propuesta académica de la URV. Este documento es público y no es modificable, excepto en casos excepcionales revisados por el órgano competente o debidamente revisado de acuerdo la normativa vigente. |
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