|
Tipo A
|
Código |
Competencias Específicas | | | A10 |
Integrar nous nanomaterials i tecnologies en dispositius electrònics i optoelectrònics (competència de l'especialitat Microsistemes Electrònics).
|
|
Tipo B
|
Código |
Competencias Transversales | | | B1 |
Aprender a aprender. |
| | B2 |
Resolver problemas complejos de forma efectiva. |
| | B3 |
Aplicar el pensamiento crítico, lógico y creativo, demostrando capacidad de innovación. |
| | B4 |
Trabajar de forma autónoma con responsabilidad e iniciativa |
| | B6 |
Comunicar información, ideas, problemas y soluciones de manera clara y efectiva en público o ámbitos técnicos concretos |
|
Tipo C
|
Código |
Competencias Nucleares | | | C1 |
Dominar en un nivel intermedio una lengua extranjera, preferentemente el inglés. |
| | C2 |
Utilizar de manera avanzada las tecnologías de la información y la comunicación. |
| | C3 |
Gestionar la información y el conocimiento. |
| | C6 |
Definir y desarrollar el proyecto académico y profesional. |
| Resultados de aprendizaje |
|
Tipo A
|
Código |
Resultados de aprendizaje |
| | A10 |
Descriu els diferents tipus de dispositius semiconductors avançats.
Descriu el funcionament, característiques i aplicacions actuals dels dispositius semiconductors avançats.
|
|
Tipo B
|
Código |
Resultados de aprendizaje |
| | B1 |
Tiene una visión de conjunto de las diferentes teorias o metodologías de una asignatura.
Adopta autónomamente las estratégias de aprendizaje en cada situación.
| | | B2 |
Encuentra la solución adecuada.
Elabora una estratégia realista para resolver el problema.
| | | B3 |
Identifica los resultados de innovación.
Tiene en cuenta quien i como afecta la innovación.
Analiza riesgos y beneficios de la innovación.
| | | B4 |
Presenta resultados de aquello que se espera en la manera adecuada acuerdo con la bibliografía dada y en el tiempo previsto.
Decide cómo gestiona y organiza el trabajo y el tiempo.
| | | B6 |
Redacta documentos con el formato, contenido, estructura, correción lingüística, registro adecuado e ilustra conceptos utilizando correctamente las convenciones: formatos, títulos, pies, leyenda,...
Sus presentaciones estan debidamente preparadas, utilizando estratégias para presentar y llevar a cabo sus presentaciones orales (ayudas audiovisuales, mirada, voz, gesto, control de tiempo,...).
|
|
Tipo C
|
Código |
Resultados de aprendizaje |
| | C1 |
Explica y justifica brevemente sus opiniones y proyectos.
Extrae el sentido general de los textos que contienen información no rutinaria dentro de un ámbito conocido.
| | | C2 |
Utiliza programario para la comunicación off-line: editores de textos, hojas de cálculo y presentaciones digitales.
| | | C3 |
Localiza y accede a la información de manera eficaz y eficiente.
Utiliza la informaicón comprendiendo las implicaciones económicas, legales, sociales y éticas del acceso a la información y a su uso.
| | | C6 |
Identifica los propios intereses y motivaciones académicoprofesionales.
Desarrolla recursos y estratégias que faciliten la transición al mundo laboral.
|
| tema |
Subtema |
| 1. Introducción |
1.1 Electrostática y transporte de carga en los semiconductores
1.2 Simulación TCAD. Introducción al Atlas
1.3 Herramientas de automatización para dispositivos electrónicos. Introducción a la codificación del modelo de dispositivo en Verilog-A2. |
| 2. Estructuras MOSFET en escala nanométrica |
.1. Efectos de canal corto en MOSFETs
2.2. MOSFETs a escala nanométrica en bulk
2.3 SOI MOSFETs
2.4 FinFETs y MOSFETs multi-puerta |
| 3. Dispositivos semiconductores avanzados de potencia |
3.1 Los transistores bipolares de puerta aislada (IGBT)
3.2. MOSFET de potencia |
| 4. Dispositivos con semiconductores compuestos |
4.1. Transistores bipolares de heterounión (HBT)
4.2. Estructuras avanzadas MESFET y Transistores HEMT. Dispositivos de GaAs y GaN. |
| 5. Los transistores de película delgada (TFT) |
5.1 TFT de silicio amorfo
5.2. Silicio policristalino lí TFT
5.3. TFT orgánicos
5.4. TFT Óxido |
| 6. Dispositivos post-CMOS |
6.1. HECHO Túnel
6.2. Transistor de un solo electrón
6.3. Los nanotubos de carbono y los transistores de grafeno
|
| Metodologías :: Pruebas |
| |
Competencias |
(*) Horas en clase
|
Horas fuera de clase
|
(**) Horas totales |
| Actividades introductorias |
|
0 |
0 |
0 |
| Sesión magistral |
|
15 |
22.5 |
37.5 |
| Seminarios |
|
15 |
22.5 |
37.5 |
| Atención personalizada |
|
0 |
0 |
0 |
| |
| |
(*) En el caso de docencia no presencial, serán las horas de trabajo con soporte virtual del profesor.
(**) Los datos que aparecen en la tabla de planificación son de carácter orientativo, considerando la heterogeneidad de los alumnos |
Metodologías
| |
descripción |
| Actividades introductorias |
|
| Sesión magistral |
Explicació oral detallada dels temes del curs |
| Seminarios |
Seminaris sobre la demostració de la utilització d'eines de simulació dispositiu TCAD, codificació dispositiu en Verilog-A i resolució matemàtica de problemes sobre dispositius semiconductors avançats. |
| Atención personalizada |
|
|
descripción |
|
Es proposarà un curt projecte individual a cada estudiant. Durant la realització del seu projecte poden reunir-se periòdicament al professor per discutir sobre els dubtes i els resultats obtinguts. |
|
Metodologías |
Competencias
|
descripción |
Peso |
|
|
|
|
| Sesión magistral |
|
L'examen escrit consisteix en una prova de 10 preguntes i dos problemes que resoldre matemàticament |
30% (test: 15%; problems: 15%) |
| Seminarios |
|
Curt projecte individual. L'estudiant més de presentar un informe per escrit i fer una presentació oral 10 minuts |
70% (report: 45%; oral presentation: 25%) |
| Otros |
|
|
|
| |
|
Otros comentarios y segunda convocatoria |
|
Per aprovar l'assignatura, les puntuacions mínims són del 40% per a l'examen escrit, 50% per al projecte del curs, i el 50%, com a resultat total |
| Básica |
|
|
| Complementaria |
|
T. A. Fjeldly T., Ytterdal T., and M. Shur
(1998) Introduction to Device
Modeling and Circuit Simulation, John Wiley & Sons, New York J. P. Colinge (2004).. Silicon-On-Insulator
Technology Materials
to VLSI, Springer S. D. Brotherton. (2013). Introduction to Thin Film Transistors.
Springer |
| |
| Otros comentarios |
|
Es recomana un coneixement bàsic del comportament dels MOSFET i BJT, així com del simulador de circuits SPICE |
(*)La Guía docente es el documento donde se visualiza la propuesta académica de la URV. Este documento es público y no es modificable, excepto en casos excepcionales revisados por el órgano competente o debidamente revisado de acuerdo la normativa vigente. |
|