|
Tipus A
|
Codi |
Competències Específiques | | | A1.1 |
Destacar en l'estudi i coneixement de l'àmbit de recerca triat: avaluar la importància cientificotècnica, el potencial tecnològic i la viabilitat de la nanociencia, dels materials, del seu disseny, la seva preparació, propietats, processos i desenvolupaments, tècniques i aplicacions. |
|
Tipus B
|
Codi |
Competències Transversals | | | B1.1 |
Comunicar idees complexes de manera efectiva a tot tipus d’audiències. |
| | B3.1 |
Treballar en equip de forma col·laborativa, amb responsabilitat compartida en equips multidisciplinaris, multilingües i multiculturals i en entorns complexos. |
| | B3.2 |
Resoldre els conflictes de manera constructiva. |
| | B4.2 |
Desenvolupar habilitats per gestionar la carrera professional. |
|
Tipus C
|
Codi |
Competències Nuclears |
|
Tipus A
|
Codi |
Resultats d'aprenentatge |
| | A1.1 |
Formula el coneixement dels principis bàsics emprats en el camp de la nanofabricació i nanoprocesado, dels materials i de les tècniques principals que s'utilitzen en aquesta àrea.
Selecciona els mètodes de nanofabricació més adequats per resoldre problemes específics de la nanotecnologia.
|
|
Tipus B
|
Codi |
Resultats d'aprenentatge |
| | B1.1 |
Intervé de forma efectiva i transmet informació rellevant.
Prepara i realitza presentacions estructurades complint amb els requisits exigits.
Planifica la comunicació: genera idees, busca informacions, selecciona i ordena la informació, fa esquemes, determina el tipus de públic i els objectius de la comunicació, ...
Redacta documents amb el format, contingut, estructura, correcció lingüística, registre adequats i il•lustra conceptes utilitzant correctament les convencions: formats, títols, peus, llegendes, ...
Utilitza estratègies per presentar i dur a terme les seves presentacions orals (ajuts audiovisuals, mirada, veu, gest, control de temps, ...).
Utilitza un llenguatge apropiat a la situació.
| | | B3.1 |
Participa de forma activa i comparteix informació, coneixement i experiències.
Porta a terme la seva aportació individual en el temps previst i amb els recursos disponibles.
Accepta i compleix les normes del grup.
Col • labora activament en la planificació del treball en equip, en la distribució de les tasques i terminis requerits.
| | | B3.2 |
Té en compte els punts de vista dels altres i retroalimenta de forma constructiva.
Facilita la gestió positiva de les diferències, desacords i conflictes que es produeixen a l'equip.
| | | B4.2 |
Identifica necessitats de formació.
Identifica els propis interessos i motivacions acadèmico-professionals
|
|
Tipus C
|
Codi |
Resultats d'aprenentatge |
| Tema |
Subtema |
| Introducció. |
Introducció i conceptes preliminars.
|
Capítol 1. Tècniques de dipòsit i creixement.
|
Procés de creixement. Evaporació. Epitàxia de feixos moleculars. Polvorització catòdica. Dipòsit assistit per ions. Ablació amb làser. Dipòsit de fase química Dipòsit assistit mitjançant plasma. Mètode de dipòsit de Langmuir-Blodgett.
|
| Capítol 2. Litografia ultraviolada i visible. |
Concepte de litografia òptica. Litografia òptica convencional. Resines. Instrumentació. La microelectrònica com la força impulsora de la miniaturització. Límits de la litografia òptica. Litografia òptica avançada.
|
| Capítol 3. Litografia de feix d'electrons. |
Introducció a la litografia de feix d'electrons. Òptica amb electrons: Sistemes de litografia de feix d'electrons (Electron beam lithography, EBL). Les interaccions electrons-materials sòlids. Exposició: Resines. Efectes de proximitat. Tecnologia del procés. Aplicacions.
|
| Capítol 4. Tecnologia de feix d'ions focalitzat. |
Interacció ió-sòlid. Polvorització i Redepòsit. Acanalament. Electrons secundaris. Feixos de ions focalitzats (FIB). Atac iònic i atac iònic assistit per gas. Dipòsit per gas assistit per ions. Sistemes FIB d'un sol feix i de doble feix. Litografia per feix d'ions. Nanomanipulació. Aplicacions.
|
| Capítol 5. Tècniques litogràfiques no convencionals I: tècniques de AFM. |
Litografies basades en microscopies de camp proper: Introducció a la microscòpia de sonda de rastreig. Resum dels mètodes litogràfics de sonda de rastreig. Manipulació atòmica (STM). La manipulació dels objectes i les molècules. Indentació / repositori local. Nanolitografia d'oxidació local. Dispensat local de líquids i molècules (incloent Dip Pen nanolithography). Nanofabricació en paral•lel.
|
| Capítol 6. Tècniques litogràfiques no convencionals II: impressió, estampat, litografies suaus. |
Litografies d'estampat. Termoplàstics: temperatura de transició vítria. Estampat en calent i nanoimpressió. Curat de termoplàstics mitjançant llum ultraviolada. Replicat. Litografies suaus
|
| Capítol 7. Processament de capes. |
Gravat mitjançant química seca i humida. Processos de lift-off. Gravat reactiu i assistit mitjançant plasma. Gravat iònic.
|
| Capítol 8. Processos de fabricació global. |
Fabricació d'estructures complexes utilitzant les tècniques descrites en els temes anteriors. Proposta d'alternatives i complementarietat de tècniques. |
| Metodologies :: Proves |
| |
Competències |
(*) Hores a classe
|
Hores fora de classe
|
(**) Hores totals |
| Activitats Introductòries |
|
1 |
0 |
1 |
| Sessió Magistral |
|
25 |
50 |
75 |
| Presentacions / exposicions |
|
4 |
4 |
8 |
| Atenció personalitzada |
|
3 |
4.5 |
7.5 |
| |
| Proves de desenvolupament |
|
6 |
12 |
18 |
| Proves pràctiques |
|
1 |
2 |
3 |
| |
(*) En el cas de docència no presencial, són les hores de treball amb suport vitual del professor.
(**) Les dades que apareixen a la taula de planificació són de caràcter orientatiu, considerant l’heterogeneïtat de l’alumnat |
Metodologies
| |
Descripció |
| Activitats Introductòries |
Una sessió introductòria per tal de proporcionar una visió general de l'assignatura i el seu paper en el marc de la nanociència i la nanotecnologia. |
| Sessió Magistral |
Sessions cobrint els principis bàsics, modes d’operació, aplicacions i limitacions fonamentals de les tècniques de nanofabricació i nanoprocessat |
| Presentacions / exposicions |
Els estudiants es dividiran en grups i cada grup durà a terme una exposició oral sobre el treball que han desenvolupat durant el curs. |
| Atenció personalitzada |
Reunions amb els estudiants, ja sigui de forma individual o grupal, per tal de millorar el seu rendiment. |
|
Descripció |
|
Els professors de l'assignatura estaran disponibles per aclarir dubtes. Es recomana contactar per email prèviament.
Dr. Alex Fragoso (coordinador de l'assignatura). Dpt. Enginyeria Química, despatx 318 (edifici ETSEQ), e-mail: alex.fragoso@urv.cat.
Dra. Rosa Maria Solé, Dept. Química Física i Inorgànica, depatx 216 (Facultat de Química), e-mail: rosam.sole@urv.cat.
Dr. Jaume Massons, Dept. Química Física i Inorgànica, despatx 225 (Facultat de Química), e-mail jaume.massons@urv.cat.
Dra. Maria Cinta Pujol, Dept. Química Física i Inorgànica, Lab.213 (Facultat de Química), e-mail mariacinta.pujol@urv.cat
Dr. Francisco Javier Andrade, Dept. Química Analítica i Química Orgànica, despatx 312 (Facultat de Química), e-mail: franciscojavier.andrade@urv.cat.
|
|
Metodologies |
Competències
|
Descripció |
Pes |
|
|
|
|
| Presentacions / exposicions |
|
Els estudiants es dividiran en grups i cada grup durà a terme una exposició oral sobre el treball que han desenvolupat durant el curs. |
20% |
| Proves pràctiques |
|
Prova integradora de conceptes (capítol 8: Processos de fabricació global) |
20% |
| Proves de desenvolupament |
|
Es faran tres proves parcials durant el curs sobre els capitols 1-3, 4/5 i 6/7. Cadascuna tindrà un pes del 20% de la nota final. |
60% |
| Altres |
|
|
|
| |
|
Altres comentaris i segona convocatòria |
|
Durant les proves avaluatives, els telèfons mòbils, tablets i altres aparells alectrònics que no siguin expressament autoritzats per la prova, han d'estar apagats i fora de la vista. En segona convocatòria es mantindrà la nota de presentacions i prova integradora (40%) i es farà un examen escrit dels continguts de l'assignatura (60%). |
| Bàsica |
M.J. Madou , Fundamentals of microfabrication: the science of miniaturization. , CRC Press , 2002
B. Bushan et al. , Springer Handbook of Nanotechnology , Springer, 2006
J.N. Helbert, Handbook of VLSI Microlithography - Principles, Tools, Technology and Applications. , William Andrew Publishing/Noyes , 2001
H.S. Nalwa (editor) , Encyclopedia of nanoscience and nanotechnology , American Scientific Publishers , 2004
Z. Cui , Micro-Nanofabrication: Technology and Applications , Springer Verlag , 2006
M. Ohring , Materials Science of Thin Films , Academic Press , 2002
J.A. Venables , Introduction to Surface and Thin Film Processes , Cambridge University Press , 2001
|
|
| Complementària |
|
Journals in the field of Nanotechnology Applied Physics and Chemical Synthesis Proceedings of conferences in the field of the
subject |
| Assignatures que es recomana cursar simultàniament |
| PROCESSOS EN SALA BLANCA/20705207 |
|
(*)La Guia docent és el document on es visualitza la proposta acadèmica de la URV. Aquest document és públic i no es pot modificar, llevat de casos excepcionals revisats per l'òrgan competent/ o degudament revisats d'acord amb la normativa vigent |
|