Guia docent Escola Tècnica Superior d'Enginyeria |
català |
Enginyeria Electrònica (2010) |
Assignatures |
MODE D'OPERACIÓ RF EN DISPOSITIUS I CIRCUITS INTEGRATS |
Continguts |
DADES IDENTIFICATIVES | 2011_12 |
Assignatura | MODE D'OPERACIÓ RF EN DISPOSITIUS I CIRCUITS INTEGRATS | Codi | 17605209 | |||||
Ensenyament |
|
Cicle | 2n | |||||
Descriptors | Crèd. | Tipus | Curs | Període | ||||
4 | Optativa | Únic anual |
Competències | Objectius d'aprenentatge | Continguts |
Planificació | Metodologies | Atenció personalitzada |
Avaluació | Fonts d'informació | Recomanacions |
Tema | Subtema |
Introduction | |
RF and microwave operation | Definition of the RF and microwave operation modes Main key parameters Modulation and detection |
Semiconductor devices in the high frequency operation mode | pn diodes and varactors pin diodes Tunnel diodes Schottky diodes Gunn diodes IMPATT diodes Heterojunction Bipolar Transistors Compound semiconductor transistors: MESFETs and HEMTs. MOS transistors SOI MOS transistors High frequency noise in semiconductor devices |
Design of RF and microwave circuits | Reflexion amplifiers Oscillators Parametric amplifiers Mixers Power amplifiers |