Guia docent Escola Tècnica Superior d'Enginyeria |
català |
Enginyeria i Tecnologia dels Sistemes Electrònics (2014) |
Assignatures |
DISPOSITIUS I TECNOLOGIES MICROELECTRÒNICS I NANOELECTRÒNICS |
Continguts |
DADES IDENTIFICATIVES | 2018_19 |
Assignatura | DISPOSITIUS I TECNOLOGIES MICROELECTRÒNICS I NANOELECTRÒNICS | Codi | 17675102 | |||||
Ensenyament |
|
Cicle | 2n | |||||
Descriptors | Crèd. | Tipus | Curs | Període | ||||
4 | Obligatòria | Primer | 1Q |
Continguts | Atenció personalitzada | Avaluació |
Fonts d'informació |
Tema | Subtema |
Fonaments de semiconductors. Substrats microelectrònics |
Concepte de semiconductor. Cas del Silici Diagrames de bandes i estructura cristal·lina Portadors de Càrrega (generació/recombinació) Semiconductors intrínsecs i extrínsecs Corrents en un semiconductor. Eq de continuïtat Oblies |
Processos Tecnològic bàsics en microelectrònica | Processos Energètics (Oxidació i dopat) Processos de deposició (PVD, CVD, Epitàxia) Fotolitografia |
La unió PN | Distribució de càrregues. Camp elèctric i potencial d'unió Polarització Equació d'un díode. Díode Schottcky |
Transistor bipolar d'unions | Funcionament bàsic. Model d'Eber-Moll Efectes de 2nd ordre (Camp elèctric induït a la base, Efecte Early, Ruptura de la unió) Topologies |
Transistor MOSFET | Funcionament bàsic Diagrama de bandes Tensió Llindar Equacions de funcionament Topologia |
MEM's | Concepte Exemples Tecnologies associades |