Ingeniería y Tecnología de los Sistemas Electrónicos (2014) |
Asignaturas |
DISPOSITIVOS Y TECNOLOGÍAS MICRO Y NANOELECTRÓNICOS |
Contenidos |
DATOS IDENTIFICATIVOS | 2018_19 |
Asignatura | DISPOSITIVOS Y TECNOLOGÍAS MICRO Y NANOELECTRÓNICOS | Código | 17675102 | |||||
Titulación |
|
Ciclo | 2º | |||||
Descriptores | Cr.totales | Tipo | Curso | Periodo | ||||
4 | Obligatoria | Primer | 1Q |
Contenidos | Atención personalizada | Evaluación |
Fuentes de información |
tema | Subtema |
Fundamentos de semiconductores. Substratos microelectrónicos |
Concepto de semiconductor. Caso del Silicio Diagrames de bandas i estructura cristalina Portadores de Carga (generación/recombinación) Semiconductores intrínsecos i extrínsecos Corrientes en un semiconductor. Eq de continuidad Obleas |
Procesos Tecnológicos básicos en microelectrónica | Procesos Energéticos (Oxidación y dopado) Procesos de deposición (PVD, CVD, Epitaxia) Fotolitografía |
La unió PN | Distribución de cargas. Camp eléctrico y potencial de unión Polarización Ecuación de un diodo. Diodo Schottcky |
Transistor bipolar de uniones | Funcionamiento básico. Modelo d'Eber-Moll Efectos de 2nd orden (Camp eléctrico inducido en la base, Efecto Early, Ruptura de la unió) Topologías |
Transistor MOSFET | Funcionament bàsic Diagrama de bandes Tensió Llindar Equacions de funcionament Topologia |
MEM's | Concepto Ejemplos Tecnologías asociadas |