| Guia docent Escola Tècnica Superior d'Enginyeria |
català |
| Enginyeria i Tecnologia dels Sistemes Electrònics (2014) |
 Assignatures |
| DISPOSITIUS I TECNOLOGIES MICROELECTRÒNICS I NANOELECTRÒNICS |
| Continguts |
| DADES IDENTIFICATIVES | 2015_16 |
| Assignatura | DISPOSITIUS I TECNOLOGIES MICROELECTRÒNICS I NANOELECTRÒNICS | Codi | 17675102 | |||||
| Ensenyament |
|
Cicle | 2n | |||||
| Descriptors | Crèd. | Tipus | Curs | Període | ||||
| 4 | Obligatòria | Primer | 1Q |
|||||
| Competències | Resultats d'aprenentage | Continguts |
| Planificació | Metodologies | Atenció personalitzada |
| Avaluació | Fonts d'informació | Recomanacions |
| Tema | Subtema |
| Fonaments de semiconductors. Substrats microelectrònics |
Concepte de semiconductor. Cas del Silici Diagrames de bandes i estructura cristal·lina Portadors de Càrrega (generació/recombinació) Semiconductors intrínsecs i extrínsecs Corrents en un semiconductor. Eq de continuïtat Oblies |
| Processos Tecnològic bàsics en microelectrònica | Processos Energètics (Oxidació i dopat) Processos de deposició (PVD, CVD, Epitàxia) Fotolitografia |
| La unió PN | Distribució de càrregues. Camp elèctric i potencial d'unió Polarització Equació d'un díode. Díode Schottcky |
| Transistor bipolar d'unions | Funcionament bàsic. Model d'Eber-Moll Efectes de 2nd ordre (Camp elèctric induït a la base, Efecte Early, Ruptura de la unió) Topologies |
| Transistor MOSFET | Funcionament bàsic Diagrama de bandes Tensió Llindar Equacions de funcionament Topologia |
| MEM's | Concepte Exemples Tecnologies associades |
